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一种关于低电压高精度CMOS带隙基准的设计

来源：2BYSJ.cn 资料编号：2SJ17776 资料等级：★★★★★ %E8%B5%84%E6%96%99%E7%BC%96%E5%8F%B7%EF%BC%9A2SJ17776
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资料介绍：

一种关于低电压高精度CMOS带隙基准的设计(中文5000字,英文PDF)
摘要 文中介绍了一种被异常曲率补偿的高精度低电压CMOS的带隙基准。它采用了自偏压低压运算放大器和特定的电压转移来实现低电源供应，这样的CMOS带隙基准有着更好曲率补偿的低温度系数的功能。本设计是采用一个T类型电阻网络来减少总电阻，因此减小了芯片面积。我们使用Cadence Hspice模拟了基于SMIC 0.18um模型的电路。从仿真结果可以看出电路在-35°C到110℃之间有着6.8ppm/℃的温度系数、-90dB的电源抑制比和36.4uW的低功耗。

 

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