用于碳化硅MOSFET高频应用的新型谐振栅极驱动电路

用于碳化硅MOSFET高频应用的新型谐振栅极驱动电路(中文5000字,英文PDF)
 摘要:碳化硅（SiC）和氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS-FET）能够在高开关频率下处理高功率，同时具有较小的开关损耗和导通损耗。栅极驱动器电路功耗与开关频率成正比。从栅极电源获得的功率在传统栅极驱动器（CGD）电路的栅极电阻中消散。不是消耗所有栅极驱动器能量，而是利用谐振原理可以回收或再循环一些能量。这降低了从栅极电源获得的净功率。本文介绍了一种新的谐振栅极驱动器（RGD）电路，与高开关频率的CGD电路相比，它消耗的功率更低。所提出的栅极驱动器专为SiC MOSFET而设计。它可以适当修改，以适应绝缘栅双极晶体管和其他MOSFET。在LTSpice环境中模拟了所提出的电路的性能，并且开发了所提出的电路的实验原型以验证其性能。与CGD电路相比，所提出的RGD电路使栅极驱动器功耗降低了近50％。